دیتاشیت TBC847B,LM
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
TBC847B,LM
|
| حجم فایل |
67.442
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
5
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/Bipolar Transistors - BJT
-
Datasheet:
TOSHIBA TBC847B,LM
-
Transistor Type:
NPN
-
Operating Temperature:
+150°C@(Tj)
-
Collector Current (Ic):
150mA
-
Power Dissipation (Pd):
320mW
-
Transition Frequency (fT):
100MHz
-
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce):
200@2mA,5V
-
Collector Cut-Off Current (Icbo):
30nA
-
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo):
50V
-
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib):
170mV@100mA,5mA
-
Package:
SOT-23
-
Manufacturer:
TOSHIBA
